El 08 de mayo de 1943, en Takasaki, Gunma, nace Fujio Masuoka, inventor de la memoria flash. 

Masuoka asistió a la Universidad de Tohoku en Sendai, Japón, donde obtuvo una licenciatura en ingeniería en 1966 y un doctorado en 1971. 

Se unió a Toshiba en 1971, donde desarrolló la memoria de metal-óxido-semiconductor de inyección de avalancha de puerta apilada (SAMOS). Estaba entusiasmado principalmente por la idea de una memoria no volátil, que duraría incluso cuando se desconectara la alimentación. La memoria de solo lectura programable y borrable eléctricamente (EEPROM) de ese tiempo, tomaba mucho tiempo para borrarse. 

Desarrolló la tecnología de «puerta flotante» que podría borrarse mucho más rápido. Presentó una patente en 1981 junto con Hisakazu Iizuka. Su colega Shoji Ariizumi sugirió la palabra «flash» porque el proceso de borrado le recordó al flash de una cámara. Los resultados (con una capacidad de solo 8192 bytes) se publicaron en 1984 y se convirtieron en la base para la tecnología de memorias flash de capacidades mucho más grandes.

Toshiba le dio a Masuoka una pequeña bonificación por el invento, pero fue la empresa estadounidense Intel la que ganó miles de millones de dólares en ventas con tecnología relacionada. Se convirtió en profesor en la Universidad de Tohoku en 1994. 

Masuoka recibió el premio 1997 IEEE Morris N. Liebmann Memorial. En 2005, se convirtió en el director técnico de Unisantis Electronics con el objetivo de desarrollar un transistor tridimensional. En 2006, resolvió una demanda con Toshiba por ¥87 millones, aproximadamente USD758,000. Lo han sugerido como un candidato potencial para el Premio Nobel de Física, junto con Robert H. Dennard, quien inventó la memoria dinámica de acceso aleatorio.